哈尔滨理工大学应用科学学院教育部工程电介质重点实验室
Published:2012
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WANG Chang-hao, WANG Dong-xing, WANG Xiao-lin, et al. Al/ZnO/Ag肖特基二极管的制备与光电特性[J]. 2012, 17(6): 57-060.
DOI:
WANG Chang-hao, WANG Dong-xing, WANG Xiao-lin, et al. Al/ZnO/Ag肖特基二极管的制备与光电特性[J]. 2012, 17(6): 57-060. DOI:
以Si(111)为衬底
采用射频磁控溅射与高温退火工艺制备ZnO薄膜.利用X射线衍射、扫描电子显微镜对ZnO薄膜进行表征及结构分析.结果表明
ZnO薄膜具有高度的C轴择优取向
样品表面光洁、平整.在此ZnO薄膜工艺条件下
在石英玻璃衬底上成功制备了Al/ZnO/Ag肖特基二极管紫外探测器.对该紫外探测器的暗电流和365 nm波长光照下的光电流进行了测试.室温下结果表明:Ag和ZnO已形成肖特基接触
根据I-V、C-V测试得到的有效势垒高度分别为0.60 eV和0.53 eV
理想因子为12.6
理论计算得到的空间电荷密度为3.1×1016cm-3.无光照3V偏压时
暗电流为24.19 mA
当用λ=365 nm的光照射Ag/ZnO肖特基结
在3 V偏压时
光生电流为3.28 mA
表明Al/ZnO/Ag紫外探测器有明显的光响应特性. 更多还原
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