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Published:2014
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[1]秦钰,吴椿烽,陶伟,沈一春,钱宜刚.G652.D光纤在长波段的传输损耗研究[J].现代传输,2014(03):60-62.
秦钰, 吴椿烽, 陶伟, et al. G652.D光纤在长波段的传输损耗研究[J]. 2014, (3): 60-62.
[1]秦钰,吴椿烽,陶伟,沈一春,钱宜刚.G652.D光纤在长波段的传输损耗研究[J].现代传输,2014(03):60-62. DOI:
秦钰, 吴椿烽, 陶伟, et al. G652.D光纤在长波段的传输损耗研究[J]. 2014, (3): 60-62. DOI:
通过对光纤损耗机理进行了深入分析
并采用VAD工艺调整GeO
2
含量和芯层直径
分析了制备过程中GeCl4流量和芯层直径与瑞利散射的关系。实验结果表明
G652.D光纤的瑞利散射随着GeCl4流量及纤芯直径的增加而增加
且掺Ge量的影响大于芯径变化的影响。
超低损耗光纤是超长站距光通信的新选择 [J]. 刘源,黄丽艳,雷学义. 电力系统通信 . 2011(06)
PCVD单模光纤的材料组成、结构与性能研究 [D]. 韩庆荣. 武汉理工大学 2006
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