南通大学 机构 电子信息学院,江苏,南通,226019
纸质出版:2010
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施敏, 王强, 张士兵, 徐晨. 基于0.5μm CMOS工艺的PFM调制DC-DC升压电路设计[J]. 微电子学与计算机, 2010, 27(5): 27-30.
SHI Min, WANG Qiang, ZHANG Shi-bing, et al. A Design of PFM Boost DC-DC Converter in 0.5μm CMOS Technology[J]. 2010, 27(5): 27-30.
施敏, 王强, 张士兵, 徐晨. 基于0.5μm CMOS工艺的PFM调制DC-DC升压电路设计[J]. 微电子学与计算机, 2010, 27(5): 27-30. DOI:
SHI Min, WANG Qiang, ZHANG Shi-bing, et al. A Design of PFM Boost DC-DC Converter in 0.5μm CMOS Technology[J]. 2010, 27(5): 27-30. DOI:
采用 CSMC 0.5μm CMOS工艺设计了一种PFM调制DC-DC升压电路
重点分析了基准电压源、比较器、PFM控制电路和过流保护电路.仿真结果表明
该电路具有低电压启动、输出电压精度高、功耗低和过流保护功能等优点.基于0.5μm双层多晶硅三层金属双阱CMOS工艺的几何设计规则实现了其版图.
A design of PFM boost DC-DC converter in CSMC 0.5μm CMOS technology is described. The critical parts such as the reference generation
comparator
PFM controlled circuit and over-current protected circuit are analyzed. The simulation results show that it has advantages of low voltage start
high accuracy of ouput voltage
low power dissipation and over-current protection. According to a standard 0.5μm DPTM double wells CMOS process topological design rule of CSMC
the layout of the proposed circuit is realized.
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