考虑量子效应的短沟道n-MOSFET表面电势分布数值模型

李亦清; 王子欧; 李文石; 李有忠; 陈智; 毛凌锋

Chinese

您当前的位置：

首页 >

文章列表页 >

考虑量子效应的短沟道n-MOSFET表面电势分布数值模型

更新时间：2026-09-04

- 考虑量子效应的短沟道n-MOSFET表面电势分布数值模型
- A Numerical Model of the Distribution of Surface Potential for Short-Channel n-MOSFET with Considering the Quantum Effects
- 微电子学与计算机 2011年28卷第12期页码：75-78
- 作者机构：
  
  苏州大学电子信息学院,江苏,苏州,215021
- 作者简介：
- 基金信息：
  
  国家自然科学基金项目(61076102,61076080)
- DOI：
  中图分类号：
- 纸质出版：2011
- 稿件说明：
移动端阅览
李亦清, 王子欧, 李文石, 李有忠, 陈智, 毛凌锋. 考虑量子效应的短沟道n-MOSFET表面电势分布数值模型[J]. 微电子学与计算机, 2011, 28(12): 75-78.

LI Yi-qing, WANG Zi-ou, LI Wen-shi, et al. A Numerical Model of the Distribution of Surface Potential for Short-Channel n-MOSFET with Considering the Quantum Effects[J]. 2011, 28(12): 75-78.
李亦清, 王子欧, 李文石, 李有忠, 陈智, 毛凌锋. 考虑量子效应的短沟道n-MOSFET表面电势分布数值模型[J]. 微电子学与计算机, 2011, 28(12): 75-78. DOI：

LI Yi-qing, WANG Zi-ou, LI Wen-shi, et al. A Numerical Model of the Distribution of Surface Potential for Short-Channel n-MOSFET with Considering the Quantum Effects[J]. 2011, 28(12): 75-78. DOI：

摘要

提出了一种考虑量子效应的短沟道沟道表面电势数值模型

并在此基础上分析了源漏偏压对表面势分布的影响.计算结果和二维量子力学数值模拟结果很好地吻合.结果表明:源漏偏压会造成线性区的沟道表面势减小

进而导致阈值电压下跌;而在饱和区

源漏偏压的影响更大

会造成表面势明显下降

阈值下跌将会更加严重.

Abstract

In this paper

a numerical model for the distribution of channel surface potential has been proposed.The influence of the drain to source bias on the distribution of channel surface potential has been studied.Calculation results agree well with 2-D quantum mechanical numerical simulation.The results demonstrate that the voltage drop between drain and source reduces the channel surface potential in linear region and leads to Vth roll-off

whereas the influence will be more serious in saturation region.

关键词

Keywords

references

浏览量

下载量

CSCD

文章被引用时，请邮件提醒。

提交

工具集

关联资源

V型沟槽SiC中子探测器的蒙特卡洛分析

基于反向体偏置的高增益稳定性高温运放设计

基于监控指标关联性的微服务异常检测

低功耗设计的双链电源关断策略的实现与验证

基于区块链的AI生成内容溯源框架设计研究