基于扩展汉明码的BISR设计优化

沙亚兵; 李文石

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基于扩展汉明码的BISR设计优化

更新时间：2026-09-04

- 基于扩展汉明码的BISR设计优化
- BISR Design Optimization Based on Extended Hamming Code
- 微电子学与计算机 2011年28卷第12期页码：92-95
- 作者机构：
  
  1. 苏州大学电子信息学院,江苏,苏州,215001
  2. 雄立科技苏州有限公司,江苏,苏州,215021
- 作者简介：
- 基金信息：
  
  江苏省高校自然科学研究项目资助(09KJB510017)
- DOI：
  中图分类号：
- 纸质出版：2011
- 稿件说明：
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沙亚兵, 李文石. 基于扩展汉明码的BISR设计优化[J]. 微电子学与计算机, 2011, 28(12): 92-95.

SHA Ya-bing, LI Wen-shi. BISR Design Optimization Based on Extended Hamming Code[J]. 2011, 28(12): 92-95.
沙亚兵, 李文石. 基于扩展汉明码的BISR设计优化[J]. 微电子学与计算机, 2011, 28(12): 92-95. DOI：

SHA Ya-bing, LI Wen-shi. BISR Design Optimization Based on Extended Hamming Code[J]. 2011, 28(12): 92-95. DOI：

摘要

BISR本质是自动实现电路内部纠错.为监督SARM中的176bit宽并行数据

提出一种基于扩展汉明码设计BISR电路的优化技术.将并行数据劈裂为两个模块

分别利用基于扩展汉明码的独立ECC

组建BISR架构.根据异或逻辑的可交换性

重排子运算项

建立XOR-Tree可合并项的特征图

观察与提取可以共用的子运算项

借助这种"兼容"策略优化XOR-Tree

在TSMC 90nm工艺中满足了降低时延和面积的工程要求.仿真结果显示

时延与面积分别降低了约28%和约35%

功耗降低约36%.最终时延为1.5ns

面积为6 200m

功耗是0.54mW

表明了本优化方法的有效性.

Abstract

BISR is to achieve the internal nature of the automatic correction function.In order to supervise SRAMs 176-bit wide parallel data

this paper proposed a method to optimize the BISR which based on extended hamming code.The data has been split into two parts suit for ECC architecture.Under the exchangeable logic terms

we built a Signature-map for XOR-Tree.In TSMC 90nm process the results met the project requirements showing reduced 28% of delay

35% of area and 36% of power.At last

ECC delay is 1.5 ns

area

6 200 m and power dissipation

0.54 mW.These data demonstrate the effectiveness of our optimal method.

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