超薄栅氧MOS器件传统关态栅泄漏电流研究

胡仕刚; 吴笑峰; 席在芳

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超薄栅氧MOS器件传统关态栅泄漏电流研究

更新时间：2026-09-04

- 超薄栅氧MOS器件传统关态栅泄漏电流研究
- Study on the Gate Leakage Current of Ultra-thin MOS Devices in Conventional Off-state
- 微电子学与计算机 2011年28卷第12期页码：133-136
- 作者机构：
  
  湖南科技大学机构信息与电气工程学院,湖南,湘潭,411201
- 作者简介：
- 基金信息：
  
  国家自然科学基金资助项目(61074051)湖南科技大学博士启动基金项目(E51080)湖南省教育厅资助项目(10C0709)
- DOI：
  中图分类号：
- 纸质出版：2011
- 稿件说明：
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胡仕刚, 吴笑峰, 席在芳. 超薄栅氧MOS器件传统关态栅泄漏电流研究[J]. 微电子学与计算机, 2011, 28(12): 133-136.

HU Shi-gang, WU Xiao-feng, XI Zai-fang. Study on the Gate Leakage Current of Ultra-thin MOS Devices in Conventional Off-state[J]. 2011, 28(12): 133-136.
胡仕刚, 吴笑峰, 席在芳. 超薄栅氧MOS器件传统关态栅泄漏电流研究[J]. 微电子学与计算机, 2011, 28(12): 133-136. DOI：

HU Shi-gang, WU Xiao-feng, XI Zai-fang. Study on the Gate Leakage Current of Ultra-thin MOS Devices in Conventional Off-state[J]. 2011, 28(12): 133-136. DOI：

摘要

理论分析了MOSFET关态泄漏电流产生的物理机制

深入研究了栅氧化层厚度为1.4nm MOSFET传统关态下边缘直接隧穿栅泄漏现象.结果表明:边缘直接隧穿电流服从指数变化规律;传统关态下边缘直接隧穿对长沟道器件的影响大于短沟道器件;衬底反偏在一定程度上减小边缘直接隧穿泄漏电流.

Abstract

The physical mechanism of off-state leakage current is analyzed Abstractly.The edge direct-tunneling (EDT) gate leakage current of MOSFET with 1.4 nm gate oxide biased in conventional off-state is studied in depth.The results showed that the change of the EDT current obeys index law

the EDT makes a greater impact on short-channel devices than that on long-channel device in conventional off-state

and the EDT current is reduced to a certain extent with the substrate biased reversely.

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