表面粗糙对石墨烯场效应晶体管电流的影响

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表面粗糙对石墨烯场效应晶体管电流的影响

更新时间：2026-09-04

- 表面粗糙对石墨烯场效应晶体管电流的影响
- A Model of the Effect of Surface Roughness on Current of Graphene Field-Effect Transistors
- 微电子学与计算机 2012年29卷第12期页码：154-156
- 作者机构：
- 作者简介：
- 基金信息：
  
  国家自然科学基金项目(61076102,6107680)
- DOI：
  中图分类号：
- 纸质出版：2012
- 稿件说明：
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表面粗糙对石墨烯场效应晶体管电流的影响[J]. 微电子学与计算机, 2012, 29(12): 154-156.

A Model of the Effect of Surface Roughness on Current of Graphene Field-Effect Transistors[J]. 2012, 29(12): 154-156.
表面粗糙对石墨烯场效应晶体管电流的影响[J]. 微电子学与计算机, 2012, 29(12): 154-156. DOI：

A Model of the Effect of Surface Roughness on Current of Graphene Field-Effect Transistors[J]. 2012, 29(12): 154-156. DOI：

摘要

建立了单栅石墨烯场效应晶体管处于栅氧化层界面平整时的电流模型

在此基础上分析氧化层界面粗糙度对源漏电流的影响.研究表明:粗糙界面会导致源漏电流有所下降;且粗糙度越大

源漏电流下降越多.

Abstract

A model about the current of single-gate graphene field-effect transistors with a flat surface between gate and gate oxide has been proposed.Based on this model

the effect of surface roughness on the drain current has been considered.And analysis and research about these two models have been discussed.The results display that the surface roughness leads to the decline in drain current

and that the rougher surface we have

the greater declining the current is going to be.

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