一种应用于物联网的双频段射频D类功放的设计

崔剑慧; 张科; 田彤

Chinese

您当前的位置：

首页 >

文章列表页 >

一种应用于物联网的双频段射频D类功放的设计

更新时间：2026-09-04

- 一种应用于物联网的双频段射频D类功放的设计
- A Dual-Band Class-D CMOS Power Amplifier for IoT Applications
- 微电子学与计算机 2013年30卷第12期页码：129-132
- 作者机构：
  
  中科院上海微系统与信息技术研究所,上海,200050
- 作者简介：
- 基金信息：
  
  国家科技重大专项资助项目（2011ZX02506—004）
- DOI：
  中图分类号：
- 纸质出版：2013
- 稿件说明：
移动端阅览
崔剑慧, 张科, 田彤. 一种应用于物联网的双频段射频D类功放的设计[J]. 微电子学与计算机, 2013, 30(12): 129-132.

CUI Jian-hui, ZHANG Ke, TIAN Tong. A Dual-Band Class-D CMOS Power Amplifier for IoT Applications[J]. 2013, 30(12): 129-132.
崔剑慧, 张科, 田彤. 一种应用于物联网的双频段射频D类功放的设计[J]. 微电子学与计算机, 2013, 30(12): 129-132. DOI：

CUI Jian-hui, ZHANG Ke, TIAN Tong. A Dual-Band Class-D CMOS Power Amplifier for IoT Applications[J]. 2013, 30(12): 129-132. DOI：

摘要

基于0.18μm CM OS工艺，设计了一个适用于物联网系统的双频段（400 M Hz/600 M Hz）射频D类功率放大器.电路采用了一种没有开关的双频段阻抗匹配网络来解决功放多频化的问题，并进行了理论分析及设计.测试结果表明，采用2 V电源供电，电路在400 M Hz/600 M Hz两个频段上的输出功率分别为14 dBm/15.4 dBm，功率增益分别为17.4 dB/16.8 dB，功率附加效率分别为35%/34%.

Abstract

In this paper

a dual-band Class-D CMOS power amplifier (PA) in a standard 0.18 μm CMOS process is presented for Internet of Things (IoT) applications.The paper describes the specific method of matching network at the dual-band (400 M Hz/600 M Hz) and the circuit operates at 2V supply voltage.Measurement results indicated that the proposed amplifier provides 17.4 dB/16.8 dB gain

14 dBm/15.4 dBm output power and the measured maximum efficiencies of the dual-band PA are 35%/34% at the 400/600 M Hz bands

respectively.

关键词

Keywords

references

浏览量

下载量

CSCD

文章被引用时，请邮件提醒。

提交

工具集

关联资源

低功耗设计的双链电源关断策略的实现与验证

基于区块链的AI生成内容溯源框架设计研究

基于多尺度融合与小目标增强的航拍车辆检测算法

一种用于极低压boost系统的高效率电荷泵

注意力机制与改进密集卷积引导的信息隐藏模型