一种低功耗高线性度AB类跨导放大器

程序; 郭桂良; 阎跃鹏

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一种低功耗高线性度AB类跨导放大器

更新时间：2026-09-04

- 一种低功耗高线性度AB类跨导放大器
- A Low Power High Linearity Class AB Transconductor
- 微电子学与计算机 2013年30卷第12期页码：133-136
- 作者机构：
  
  中国科学院微电子研究所机构电子系统总体技术研究室,北京,100029
- 作者简介：
- 基金信息：
  
  科技部国家科技重大专项“核心电子器件、高端通用芯片及基础软件产品”资助项目（2009ZX01031-002-008-002）
- DOI：
  中图分类号：
- 纸质出版：2013
- 稿件说明：
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程序, 郭桂良, 阎跃鹏. 一种低功耗高线性度AB类跨导放大器[J]. 微电子学与计算机, 2013, 30(12): 133-136,141.

CHENG Xu, GUO Gui-liang, YAN Yue-peng. A Low Power High Linearity Class AB Transconductor[J]. 2013, 30(12): 133-136.
程序, 郭桂良, 阎跃鹏. 一种低功耗高线性度AB类跨导放大器[J]. 微电子学与计算机, 2013, 30(12): 133-136,141. DOI：

CHENG Xu, GUO Gui-liang, YAN Yue-peng. A Low Power High Linearity Class AB Transconductor[J]. 2013, 30(12): 133-136. DOI：

摘要

提出了一个基于动态源级负反馈和交叉耦合后失真调谐的可调谐跨导放大器单元（Gm），并采用此Gm单元搭建了3阶Gm-C滤波器来验证此Gm的性能.仿真结果表明，所设计的Gm单元的大信号恒定跨导V范围超过600 mV，在工艺角、电源电压、温度等变化时，滤波器-3 dB截止频率均可调谐到10 M Hz，调谐范围为9~26.4 M Hz，在10 M Hz频点等效输入噪声为39 nV，带内IIP3维持在16 dBm以上，功耗电流小于1.7 mA.

Abstract

This paper presents a tunable transconductor (Gm) cell

which is based on dynamic source degeneration and cross coupling technique

and builds a 3rd order Gm-C filter to prove the validity of this Gm cell.Simulation results reveal that

the Gm cell owns a constant transconductance (V) range of around 600 mV and the Gm -C filter has a tunable -3 dB cutoff frequency from 9 M Hz to 26.4 M Hz

equivalent input referred noise of 39 nV@10 M Hz

in-band IIP3 higher than 16 dBm and a total power consumption less than 1.7 mA over all variations of process corners

supply voltage and temperature.

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