字线脉冲控制解决异步双端口SRAM中的写干扰

杨琼华; 蒋江

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字线脉冲控制解决异步双端口SRAM中的写干扰

更新时间：2026-09-04

- 字线脉冲控制解决异步双端口SRAM中的写干扰
- Word-Line Pulse Control to Circumvent Write-Disturb in Asynchronous Dual-Port SRAM
- 微电子学与计算机 2015年32卷第3期页码：90-93
- 作者机构：
  
  上海交通大学微电子学院,上海,200240
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号：
- 纸质出版：2015
- 稿件说明：
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杨琼华, 蒋江. 字线脉冲控制解决异步双端口SRAM中的写干扰[J]. 微电子学与计算机, 2015, 32(3): 90-93.

YANG Qiong-hua, JIANG Jiang. Word-Line Pulse Control to Circumvent Write-Disturb in Asynchronous Dual-Port SRAM[J]. 2015, 32(3): 90-93.
杨琼华, 蒋江. 字线脉冲控制解决异步双端口SRAM中的写干扰[J]. 微电子学与计算机, 2015, 32(3): 90-93. DOI：

YANG Qiong-hua, JIANG Jiang. Word-Line Pulse Control to Circumvent Write-Disturb in Asynchronous Dual-Port SRAM[J]. 2015, 32(3): 90-93. DOI：

摘要

为了避免双端口SRAM中由写干扰造成的数据写入困难

利用写干扰的时钟偏移相关性提出了一种新的字线脉冲控制技术

确定了写干扰下成功写入数据所需的最小写字线脉宽

并设计了时钟沿检测电路来解决写操作造成的写干扰. 采用TSN28HPM工艺

抽取RC寄生参数后进行了后端仿真

结果表明所提方案可行有效.

Abstract

To circumvent the problem caused by write-disturb in write process of asynchronous Dual-Port SRAM

a new word-line pulse control technique is proposed. A minimum word-line pulse of write port is determined to do the write operation successfully; A clock edge detection circuit is designed to handle the write-disturb caused by write operation of the other port. Using N28HPM technology of TSMC

backend simulation is performed after RC extraction; Results show the proposed method is feasible and effective.

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