TSV互连结构传输性能分析及故障建模研究

尚玉玲; 钱伟; 李春泉; 豆鑫鑫

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TSV互连结构传输性能分析及故障建模研究

更新时间：2026-09-04

- TSV互连结构传输性能分析及故障建模研究
- Analysis Transmission Performance of TSV Interconnect Structure and Fault Model
- 微电子学与计算机 2016年33卷第6期页码：73-77
- 作者机构：
  
  1. 桂林电子科技大学机构电子工程与自动化学院,广西,桂林,541004
  2. 桂林电子科技大学机电工程学院,广西,桂林,541004
- 作者简介：
- 基金信息：
  
  国家自然科学基金项目 51465013桂林电子科技大学研究生创新项目 GDYCSZ201443桂林电子科技大学研究生创新项目 GDYCSZ201480广西自动检测技术与仪器重点实验室主任基金 YQ15109广西研究生教育创新计划资助项目 YCSZ2014142
- DOI：
  中图分类号：
- 纸质出版：2016
- 稿件说明：
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尚玉玲, 钱伟, 李春泉, 豆鑫鑫. TSV互连结构传输性能分析及故障建模研究[J]. 微电子学与计算机, 2016, 33(6): 73-77.

SHANG Yu-ling, QIAN Wei, LI Chun-quan, et al. Analysis Transmission Performance of TSV Interconnect Structure and Fault Model[J]. 2016, 33(6): 73-77.
尚玉玲, 钱伟, 李春泉, 豆鑫鑫. TSV互连结构传输性能分析及故障建模研究[J]. 微电子学与计算机, 2016, 33(6): 73-77. DOI：

SHANG Yu-ling, QIAN Wei, LI Chun-quan, et al. Analysis Transmission Performance of TSV Interconnect Structure and Fault Model[J]. 2016, 33(6): 73-77. DOI：

摘要

随着集成电路复杂度的提高以及半导体制造工艺水平的不断发展

硅通孔(Through Silicon Via)TSV技术成为三维集成电路的一种主流互连技术

建立单个TSV的三维物理模型

通过回波损耗来分析不同物理参数和尺寸变化对信号传输性能的影响; 利用硅通孔的参数提取模型对其进行RLC参数的提取

并建立等效的电路模型和故障电路模型.扫描频率在10 GHz范围内

利用故障电路末端电压来分析故障的大小

同时通过最小二乘法拟合一条根植电压曲线来判断故障大小.

Abstract

With the increasing complexity of IC and the development of the semiconductor manufacturing process

through silicon via(TSV) has become a main interconnect technology for 3D-IC. 3D physical model of single TSV is built to analyze the effect of different physical parameter and changing size on the performance of signal transmission by return loss.The parameter extraction model of TSV is adopted to obtain the parameter of RLC.Furthermore

both the equivalent circuit model and the fault circuit model are established. The value of the crack is determined by the changing terminal voltage of the fault circuit in the frequency range of 10 GHz.At the same time

the curve on judging the value of crack is estimated with the least square method.

关键词

Keywords

references

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