一种基于压控型忆阻器的忆容器模型

吴梦雯; 甘朝晖; 吴宇鑫

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一种基于压控型忆阻器的忆容器模型

更新时间：2026-09-04

- 一种基于压控型忆阻器的忆容器模型
- A Memcapacitor Model Based on Voltage-controlled Memristor
- 微电子学与计算机 2015年32卷第11期页码：166-171
- 作者机构：
  
  武汉科技大学机构信息科学与工程学院,湖北,武汉,430081
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号：
- 纸质出版：2015
- 稿件说明：
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吴梦雯, 甘朝晖, 吴宇鑫. 一种基于压控型忆阻器的忆容器模型[J]. 微电子学与计算机, 2015, 32(11): 166-171.

WU Meng-wen, GAN Zhao-hui, WU Yu-xin. A Memcapacitor Model Based on Voltage-controlled Memristor[J]. 2015, 32(11): 166-171.
吴梦雯, 甘朝晖, 吴宇鑫. 一种基于压控型忆阻器的忆容器模型[J]. 微电子学与计算机, 2015, 32(11): 166-171. DOI：

WU Meng-wen, GAN Zhao-hui, WU Yu-xin. A Memcapacitor Model Based on Voltage-controlled Memristor[J]. 2015, 32(11): 166-171. DOI：

摘要

分析了忆阻器与忆容器之间的关系

提出了基于电压控制型忆阻器的忆容器模型.用Pspice软件对该模型进行了仿真实验

发现该模型中忆容器的忆容值与忆阻器的忆阻值成线性关系

忆容器的电压-电荷曲线呈现典型的非线性迟滞回线特性.在验证了所提出忆容器模型正确性的基础上

进一步分析了忆容器的电气特性.

Abstract

In this paper

a model for transferring a voltage-controlled memristor into memcapacitor is described

of which the realization is on the basis of an analysis of the relationship between memristor and memcapacitor. Results of Pspice simulation indicate that:in the model the relationship between memristance and memcapacitance is linear

and the v-q characteristic of the memcapacitor is a typically non-linear pinched hysteretic loop. After conforming the correctness of the model

a further Pspice simulation is conducted in order to analyze and observe the characteristics of memcapactor.

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