Flash存储器中负压电荷泵的研究与设计

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Flash存储器中负压电荷泵的研究与设计

更新时间：2026-09-04

- Flash存储器中负压电荷泵的研究与设计
- Design of Negative Charge Pump for Flash Memory
- 微电子学与计算机 2016年33卷第12期页码：34-37
- 作者机构：
- 作者简介：
- 基金信息：
  
  国家自然科学基金项目（61521064）;中国科学院微电子器件与集成技术重点实验室课题基金资助
- DOI：
  中图分类号：
- 纸质出版：2016
- 稿件说明：
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Flash存储器中负压电荷泵的研究与设计[J]. 微电子学与计算机, 2016, 33(12): 34-37.

Design of Negative Charge Pump for Flash Memory[J]. 2016, 33(12): 34-37.
Flash存储器中负压电荷泵的研究与设计[J]. 微电子学与计算机, 2016, 33(12): 34-37. DOI：

Design of Negative Charge Pump for Flash Memory[J]. 2016, 33(12): 34-37. DOI：

摘要

本文提出了一种适用于单电源

低电压供电的Flash存储器的负压电荷泵实现方法.在分析电荷泵工作原理的基础上

结合NOR Flash存储器电路系统对该负电压的要求

提出了用于抑制编程串扰的负压电荷泵电路结构

并详细分析其工作原理.最后针对不同工艺角、电源电压和温度对该电路进行系统的仿真验证

结果显示对于上述各情形该电荷泵系统均可以在2s内稳定输出-300mV的电压

达到设计要求.

Abstract

This paper proposes a method for the implementation of a negative voltage charge pump in Flash memories

which is suitable for use with single power supply and low voltage power supply.Based on the principles of the operations of charge pumps and taking into consideration the various requirements of NOR flash memories for negative voltage

we propose a negative charge pump circuit structure which effectively inhibits program disturb.The paper concludes with circuit simulations at different PVT corners which indicate that the charge pump outputs voltage at-300 mV within 2s upon system power up

satisfying design requirements.

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