一种快速瞬态响应的无片外电容LDO稳压器设计

陈忠学; 唐杰; 章国豪

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一种快速瞬态响应的无片外电容LDO稳压器设计

更新时间：2026-09-04

- 一种快速瞬态响应的无片外电容LDO稳压器设计
- Design of a Fast Transient Response and Capacitor-Free LDO Regulator
- 微电子学与计算机 2016年33卷第12期页码：85-88
- 作者机构：
  
  广东工业大学机构信息工程学院,广东,广州,510006
- 作者简介：
- 基金信息：
  
  国家自然科学基金(面上项目) 61574049"新一代宽带无线移动通信网"国家科技重大专项 ZX03001014
- DOI：
  中图分类号：
- 纸质出版：2016
- 稿件说明：
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陈忠学, 唐杰, 章国豪. 一种快速瞬态响应的无片外电容LDO稳压器设计[J]. 微电子学与计算机, 2016, 33(12): 85-88, 92.

CHEN Zhong-xue, TANG Jie, ZHANG Guo-hao. Design of a Fast Transient Response and Capacitor-Free LDO Regulator[J]. 2016, 33(12): 85-88.
陈忠学, 唐杰, 章国豪. 一种快速瞬态响应的无片外电容LDO稳压器设计[J]. 微电子学与计算机, 2016, 33(12): 85-88, 92. DOI：

CHEN Zhong-xue, TANG Jie, ZHANG Guo-hao. Design of a Fast Transient Response and Capacitor-Free LDO Regulator[J]. 2016, 33(12): 85-88. DOI：

摘要

基于LDO稳压器的工作原理

设计了一种快速瞬态响应的无片外电容LDO稳压器电路.LDO稳压器主要包括无运放带隙基准源、误差放大器、瞬态响应增强模块、功率调整管及NMOS管反馈网络.提出一种新结构的瞬态响应增强电路

加快功率调整管栅极的充放电速度

实现了快速瞬态响应.电路采用TSMC 0.18 m标准CMOS工艺实现

版图尺寸为190 m×210 m

后仿真结果表明: 在输入电压为3.3 V时

输出电压为2.15 V

轻载与满载之间跳变的建立时间最大为0.6 s

低频时PSRR为-63 dB

压差为50 mV.

Abstract

Based on the working principle of LDO regulator

a fast transient response and capacitor-free LDO regulator was designed. LDO regulator includes bandgap reference without amplifier、EA、transient response enhancement module、power regulator and NMOS transistor feedback network. A new structure of the transient response enhancement circuit is proposed to speed up the power adjustment transistor gate charge and discharge

and realize the fast transient response. The circuit is fabricated with TSMC 0.18m CMOS process and has the layout size of 190 m×210 m. The simulation results show that when the input voltage is 3.3 V

the output voltage is 2.15 V. Between light load and full load establishment of the maximum time for the 0.6 s. PSRR is -63 dB at low frequency

voltage difference is 50 mV.

关键词

Keywords

references

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