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基于45 nm SOI CMOS工艺的10 bit、125 MS/s过零检测Pipeline-SAR ADC设计
更新时间:2026-09-04
    • 基于45 nm SOI CMOS工艺的10 bit、125 MS/s过零检测Pipeline-SAR ADC设计

    • A 10 bit 125 MS/s Zero Crossing Detection Pipeline-SAR ADC Based on 45 nm SOI CMOS Technology

    • 微电子学与计算机   2017年34卷第11期 页码:6-10
    • 纸质出版:2017

    移动端阅览

  • 张凯娜, 严鹏程, 宋焱, 谢毅, 郭卓奇, 耿莉. 基于45 nm SOI CMOS工艺的10 bit、125 MS/s过零检测Pipeline-SAR ADC设计[J]. 微电子学与计算机, 2017, 34(11): 6-10. DOI:

    ZHANG Kai-na, YAN Peng-cheng, SONG Yan, et al. A 10 bit 125 MS/s Zero Crossing Detection Pipeline-SAR ADC Based on 45 nm SOI CMOS Technology[J]. 2017, 34(11): 6-10. DOI:

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