一种具有锁定检测结构的新型抗SET效应DLL设计技术

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一种具有锁定检测结构的新型抗SET效应DLL设计技术

更新时间：2026-09-04

- 一种具有锁定检测结构的新型抗SET效应DLL设计技术
- A New SET-Tolerant Radiation-Hardened DLL Design with Lock Detector
- 微电子学与计算机 2017年34卷第9期页码：77-81
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  中图分类号：
- 纸质出版：2017
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一种具有锁定检测结构的新型抗SET效应DLL设计技术[J]. 微电子学与计算机, 2017, 34(9): 77-81.

A New SET-Tolerant Radiation-Hardened DLL Design with Lock Detector[J]. 2017, 34(9): 77-81.
一种具有锁定检测结构的新型抗SET效应DLL设计技术[J]. 微电子学与计算机, 2017, 34(9): 77-81. DOI：

A New SET-Tolerant Radiation-Hardened DLL Design with Lock Detector[J]. 2017, 34(9): 77-81. DOI：

摘要

针对延迟锁相环的结构和对单粒子效应敏感性的分析

提出了一种具有锁定检测结构的新型抗SET加固DLL结构

该结构能在满足原有DLL性能指标的前提下实现对SET效应的加固

保证DLL正交四相时钟的正确输出.基于65 nm CMOS工艺进行电路设计仿真

结果显示在500 MHz工作频率下

此DLL功能正确

抗SET性能良好

SET阈值达到100 MeV·cm/mg

在空间辐射环境中具有很好的稳定性.

Abstract

This paper presents a new radiation-hardened by design DLL in 65 nm CMOS fabrication process.The proposed DLL uses a lock detector to avoid the lock error and phase error in SET (Single-event Transient) response.The simulation results demonstrate that the proposed DLL can generate quadrature phase clock in a 500 MHz with high reliability and the SET threshold is better than 100 MeV·cm/mg

has great stability in space.

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