一种低噪声高纹波抑制比的LDO设计

黄松; 姜洪雨; 刘智; 耿增建

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一种低噪声高纹波抑制比的LDO设计

更新时间：2026-09-04

- 一种低噪声高纹波抑制比的LDO设计
- Design of a Low Noise High PSR Low Dropout Regulator
- 微电子学与计算机 2018年35卷第10期页码：89-92
- 作者机构：
  
  西安微电子技术研究所,陕西,西安,710054
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号：
- 纸质出版：2018
- 稿件说明：
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黄松, 姜洪雨, 刘智, 耿增建. 一种低噪声高纹波抑制比的LDO设计[J]. 微电子学与计算机, 2018, 35(10): 89-92, 98.

HUANG Song, JIANG Hong-yu, LIU Zhi, et al. Design of a Low Noise High PSR Low Dropout Regulator[J]. 2018, 35(10): 89-92.
黄松, 姜洪雨, 刘智, 耿增建. 一种低噪声高纹波抑制比的LDO设计[J]. 微电子学与计算机, 2018, 35(10): 89-92, 98. DOI：

HUANG Song, JIANG Hong-yu, LIU Zhi, et al. Design of a Low Noise High PSR Low Dropout Regulator[J]. 2018, 35(10): 89-92. DOI：

摘要

提出了一种低噪声高电源纹波抑制比(PSR)的低压差线性稳压器(LDO).该低压差线性稳压器通过提高带隙基准和误差放大器的噪声抑制性能以及PSR性能以达到提高LDO性能的目的.在0.6 μm BiCMOS工艺下进行了流片验证

测试结果表明

当负载电流为100 mA时

100 Hz电源纹波抑制比为75 dB; 10 kHz时电源纹波抑制比为72 dB.输出噪声电压(100 Hz~100 KHz)为15 μV.

Abstract

A low dropout regulator (LDO) with low output noise voltage and high power supply ripple rejection ratio (PSR) is described. The LDO improves the ability of power supply ripple rejection and output noise voltage suppression by improving power supply ripple rejection ratio and output noise voltage suppression of the band-gap reference and the differential amplifier. This approach is tested in 0.6 μm BiCMOS process. The results show that the PSR at 100 Hz is 75 dB and at 10 kHz is 72 dB

when the load current is 100 mA. The output noise voltage is 15 μV (100 Hz to 100 kHz).

关键词

Keywords

references

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