超薄体SOI MOSFETs硅膜区热生成行为分析

Chinese

您当前的位置：

首页 >

文章列表页 >

超薄体SOI MOSFETs硅膜区热生成行为分析

更新时间：2026-09-04

- 超薄体SOI MOSFETs硅膜区热生成行为分析
- Heat Generation Behavior of Silicon Layers in Ultra-thin SOI MOSFETs
- 微电子学与计算机 2018年35卷第5期页码：120-123
- 作者机构：
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号：
- 纸质出版：2018
- 稿件说明：
移动端阅览
超薄体SOI MOSFETs硅膜区热生成行为分析[J]. 微电子学与计算机, 2018, 35(5): 120-123.

Heat Generation Behavior of Silicon Layers in Ultra-thin SOI MOSFETs[J]. 2018, 35(5): 120-123.
超薄体SOI MOSFETs硅膜区热生成行为分析[J]. 微电子学与计算机, 2018, 35(5): 120-123. DOI：

Heat Generation Behavior of Silicon Layers in Ultra-thin SOI MOSFETs[J]. 2018, 35(5): 120-123. DOI：

摘要

针对SOI MOSFET自热效应热量的来源——热生成行为进行了深入研究

结果表明

对于静态电路

饱和导通电流产生的焦耳热效应是主要热量来源; 对于动态电路

开关电流引起的器件寄生电容充放电过程产生的开关热效应起主要作用.

Abstract

In this work

we investigated the source heat of self-heating in SOI MOSFETs

heat generation behavior

deeply.It shows that Joule heating effect caused by saturation current is the main source of heat in statistic circuits; while the switch heating effects from the parasitic capacitance charge and discharge process caused by switch current dominate in dynamic circuits.

关键词

Keywords

references

浏览量

下载量

CSCD

文章被引用时，请邮件提醒。

提交

工具集

关联资源

基于多尺度融合与小目标增强的航拍车辆检测算法

基于MSS-YOLO-MPHands融合架构的装配手部动作识别研究

超低功耗实时时钟电路的设计

V型沟槽SiC中子探测器的蒙特卡洛分析

大模型发展综述：从BERT到Deepseek的技术演进

相关机构

暂无数据

AI问答

地址：北京市丰台区顺八条1号院2号楼北阳晨光大厦2层邮编：100079
联系电话：（010）53879206 Email：tmw@bjxintong.com.cn
技术支持由北京北大方正电子有限公司提供京ICP备09082226号-64 京公网安备11010602201714号
本系统建议在Chrome、 IE9+ 以上版本浏览器阅读本站内容，360浏览器请切换至极速模式
Cookies帮助我们提供服务并提供个性化体验。使用本网站，即表示您同意我们使用Cookies

⁰