一种基于浮地结构的高边驱动电路

智玉欣; 蔡小五; 赵海涛; 夏瑞瑞; 刘海南; 罗家俊; 叶甜春

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一种基于浮地结构的高边驱动电路

更新时间：2026-09-04

- 一种基于浮地结构的高边驱动电路
- High-side driving circuit based on floating structure
- 微电子学与计算机 2021年38卷第1期页码：7-11
- 作者机构：
  
  1. 中国科学院微电子研究所,北京,100029
  2. 中国科学院大学机构,北京,101408
  3. 中国科学院机构硅器件技术重点实验室,北京,100029
- 作者简介：
- 基金信息：
  
  国家自然科学基金(NSFC) 61874135
- DOI：
  中图分类号：
- 纸质出版：2021
- 稿件说明：
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智玉欣, 蔡小五, 赵海涛, 夏瑞瑞, 刘海南, 罗家俊, 叶甜春. 一种基于浮地结构的高边驱动电路[J]. 微电子学与计算机, 2021, 38(1): 7-11.

ZHI Yu-xin, CAI Xiao-wu, ZHAO Hai-tao, et al. High-side driving circuit based on floating structure[J]. 2021, 38(1): 7-11.
智玉欣, 蔡小五, 赵海涛, 夏瑞瑞, 刘海南, 罗家俊, 叶甜春. 一种基于浮地结构的高边驱动电路[J]. 微电子学与计算机, 2021, 38(1): 7-11. DOI：

ZHI Yu-xin, CAI Xiao-wu, ZHAO Hai-tao, et al. High-side driving circuit based on floating structure[J]. 2021, 38(1): 7-11. DOI：

摘要

本文介绍了一种采用浮地结构的高边功率驱动电路

包括输入级电路、稳压电路、浮地产生电路以及基于电荷泵驱动电路.针对传统驱动电路中存在的地信号干扰

信号串扰问题、栅击穿以及稳压源电路提出了一种新的解决方法以及电路设计方法

极大提高了高边功率驱动电路的稳定性.基于BCD工艺

单电源电压7V~40V情况下的仿真结果表明:在2MHz振荡器频率下

浮地电路可正常工作

浮地上的纹波电压变化小于0.03V;可以对干扰信号进行有效过滤

具有较强的防误触发能力.此新型浮地电路以及稳压源电路可很好的应用于高边功率驱动电路.

Abstract

This paper introduces a high-side power drive circuit using a floating structure

including an input stage circuit

a voltage stabilization circuit

a floating generation circuit

and a charge pump-based drive circuit.A new solution and circuit design method are proposed for the ground signal interference

signal crosstalk problem and voltage regulator source circuit existing in the traditional drive circuit

which greatly improve the stability of high-side power drive circuits.Based on BCD process

the simulation results under the condition of single power supply in the range of 7V ~ 40V show that the floating circuit can work normally at the frequency of 2MHz oscillator

and the ripple voltage variation on the floating ground is less than 0.03V. Moreover

it can filter the interference signal effectively

and has a strong ability to prevent error triggering. This new floating circuit and voltage regulator circuit can be well used in high side power drive circuit.

关键词

Keywords

references

李阳.一种高边功率开关的控制与驱动电路设计[D].成都: 电子科技大学, 2016. LI Yang. Design of control and driving circuits forhigh-side power switch[D]. Chengdu: University of Electronic Science and Technology of China, 2016.

Boston SANSENW M C. Analog design essentials[M]. Boston:Springer, 2006.

SHUBIN V V. A New voltage level shifter for low-power applications[J]. Russian Microelectronics, 2019, 48(5): 335-339. DOI:10.1134/S1063739719040085.

毕查德·拉扎维.模拟CMOS集成电路设计[M].西安:西安交通大学出版社, 2013. (查阅所有网上资料, 未找到对应的英文翻译, 请联系作者补充)

HOBRECHT S. An intelligent BiCMOS/DMOS quad 1-A high-side switch[J]. IEEE Journalof Solid-State Circuits, 1990, 25(6): 1395-1402. DOI:10.1109/4.62167.

彭锐.高压半桥驱动电路抗干扰分析与设计[D].合肥: 安徽大学, 2019. PENG Rui.Anti-interference analysis and design of high voltage half-bridge driving circuit[D]. Hefei: Anhui University, 2019.

LEE J W, CHANG Y F, HSU C W, et al. Novel isolation ring structure for latch-up andpower efficiency improvement of smart power IC's[C]//Proceedings of the 2013 35th Electrical Overstress/Electrostatic Discharge Symposium.Las Vegas: IEEE, 2013: 1-5.

崔建国, 宁永香.基准电压源电路的设计与研究[J].电子世界, 2018(23): 145. (查阅所有网上资料, 未找到对应的英文翻译, 请联系作者补充) DOI: 145

胡冬青. 2012年IEEE国际功率半导体器件(电力电子器件)及功率集成电路会议综述[J].电力电子, 2012, 12(5): 6-24. DOI: 6 HU D Q. Review of 2012 the 24th IEEE international symposium of power semi- conductor devices and ICS[J]. Power Electronics, 2012, 12(5): 6-24. DOI: 6

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