基于TCAD模型仿真的65纳米CMOS标准单元单粒子闩锁效应防护设计

Chinese

您当前的位置：

首页 >

文章列表页 >

基于TCAD模型仿真的65纳米CMOS标准单元单粒子闩锁效应防护设计

更新时间：2026-09-04

- 基于TCAD模型仿真的65纳米CMOS标准单元单粒子闩锁效应防护设计
- Modeling and mitigating single event latch-up in 65nm CMOS standard cell
- 微电子学与计算机 2021年38卷第5期页码：73-79
- 作者机构：
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号：
- 纸质出版：2021
- 稿件说明：
移动端阅览
基于TCAD模型仿真的65纳米CMOS标准单元单粒子闩锁效应防护设计[J]. 微电子学与计算机, 2021, 38(5): 73-79.

Modeling and mitigating single event latch-up in 65nm CMOS standard cell[J]. 2021, 38(5): 73-79.
基于TCAD模型仿真的65纳米CMOS标准单元单粒子闩锁效应防护设计[J]. 微电子学与计算机, 2021, 38(5): 73-79. DOI：

Modeling and mitigating single event latch-up in 65nm CMOS standard cell[J]. 2021, 38(5): 73-79. DOI：

摘要

为提高标准单元在空间辐射条件下抗单粒子闩锁能力，基于65 nm CMOS工艺使用TCAD工具建立了4种保护环结构的3D模型.设计对比了多种抗单粒子闩锁加固方法，对抗辐照性能和设计开销进行了优化.仿真结果显示，使用半封闭型保护环结构可在满足抗辐照要求的情况下最小化设计开销，同时通过模拟辐照仿真对该结构的关键设计参数进行了优化.基于提出的版图加固设计标准单元开发了测试芯片并完成了重粒子试验，经过99.8 MeV*cm/mg重离子辐照未观察到闩锁现象.

Abstract

Aiming to improve the single event latch-up (SEL) performance of CMOS stand cell in 65-nm process

3D models of four guard ring had been built up by using Technology Computer Aided Design (TCAD) tool. Several different structures had been compared with TCAD simulation to compromise the anti-SEL performance and design costs. The simulation results showed that the unclosed guard ring structures was the best choice for stand cell of 65-nm

and the key design parameters of the structure are optimized by simulating irradiation simulation. A test chip using proposed radiation harden library had been tested in heavy ion experiment and no SEL occurred up to a LET of 99.8 MeV/mg/cm.

关键词

Keywords

references

浏览量

下载量

CSCD

文章被引用时，请邮件提醒。

提交

工具集

关联资源

V型沟槽SiC中子探测器的蒙特卡洛分析

基于改进RT-DETR的航拍小目标检测算法

一种基于特征上下文理解与切片分析的肺结核检测算法

基于MSS-YOLO-MPHands融合架构的装配手部动作识别研究

基于反向体偏置的高增益稳定性高温运放设计