低导通电阻沟槽栅极LIGBT的模拟研究

李婷; 王颖; 陈宇贤; 高松松; 程超

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低导通电阻沟槽栅极LIGBT的模拟研究

电气与电子工程 | 更新时间：2026-07-10

- 低导通电阻沟槽栅极LIGBT的模拟研究
- Performance Simulation and Analysis of Trench Gate Lateral Insulated Gate Bipolar Transistor with Low on-state Resistance
- 哈尔滨理工大学学报 2012年17卷第1期页码：78-81
- 作者机构：
  
  哈尔滨工程大学信息与通信工程学院
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号： TN386
- 纸质出版：2012
- 稿件说明：
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李婷, 王颖, 陈宇贤, 等. 低导通电阻沟槽栅极LIGBT的模拟研究[J]. 哈尔滨理工大学学报, 2012,17(1):78-81.

LI Ting, WANG Ying, CHEN Yu-xian, et al. Performance Simulation and Analysis of Trench Gate Lateral Insulated Gate Bipolar Transistor with Low on-state Resistance[J]. 2012, 17(1): 78-81.
李婷, 王颖, 陈宇贤, 等. 低导通电阻沟槽栅极LIGBT的模拟研究[J]. 哈尔滨理工大学学报, 2012,17(1):78-81. DOI：

LI Ting, WANG Ying, CHEN Yu-xian, et al. Performance Simulation and Analysis of Trench Gate Lateral Insulated Gate Bipolar Transistor with Low on-state Resistance[J]. 2012, 17(1): 78-81. DOI：

摘要

横向绝缘栅双极晶体管(LIGBT)采用少数载流子的注入来降低导通电阻

完成了5μm外延层上普通LIGBT(C-LIGBT)、3μm外延层上的Trench Gate LIGBT(TG-LIGBT)设计及仿真.研究了利用沟槽结构改善LIGBT的正向特性和利用RESURF技术改善TG-LIGBT的反向特性.通过Silvaco TCAD软件验证了了击穿电压大于500 V的两种结构LIGBT设计

实现了导通压降为1.0 V

薄外延层上小元胞尺寸

且有低导通电阻、大饱和电流的TG-LIGBT器件.

Abstract

LIGBT has the advantage of very low on-resistance because of minority carriers injection.The optimization and simulation of this article is completed within two structures: 5 μm conventional LIGBT(C-LIGBT) and 3 μm Trench Gate LIGBT(TG-LIGBT) with epitaxial layer.The purpose of this thesis is to improve on-state performance based on trench gate and off-state performance through RESURF.Two over 500 V breakdown voltage LIGBT are investigated under the Silvaco TCAD software.A lower on-state resista...

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