Al/ZnO/Ag肖特基二极管的制备与光电特性

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材料科学与工程 | 更新时间：2026-07-10

- Al/ZnO/Ag肖特基二极管的制备与光电特性
- Al/ZnO/Ag肖特基二极管的制备与光电特性
- 哈尔滨理工大学学报 2012年17卷第6期页码：57-060
- 作者机构：
  
  哈尔滨理工大学应用科学学院教育部工程电介质重点实验室
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号： TN311.7
- 纸质出版：2012
- 稿件说明：
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王长昊, 王东兴, 王晓林, 等. Al/ZnO/Ag肖特基二极管的制备与光电特性[J]. 哈尔滨理工大学学报, 2012,17(6):57-060.

WANG Chang-hao, WANG Dong-xing, WANG Xiao-lin, et al. Al/ZnO/Ag肖特基二极管的制备与光电特性[J]. 2012, 17(6): 57-060.
王长昊, 王东兴, 王晓林, 等. Al/ZnO/Ag肖特基二极管的制备与光电特性[J]. 哈尔滨理工大学学报, 2012,17(6):57-060. DOI：

WANG Chang-hao, WANG Dong-xing, WANG Xiao-lin, et al. Al/ZnO/Ag肖特基二极管的制备与光电特性[J]. 2012, 17(6): 57-060. DOI：

以Si(111)为衬底

采用射频磁控溅射与高温退火工艺制备ZnO薄膜.利用X射线衍射、扫描电子显微镜对ZnO薄膜进行表征及结构分析.结果表明

ZnO薄膜具有高度的C轴择优取向

样品表面光洁、平整.在此ZnO薄膜工艺条件下

在石英玻璃衬底上成功制备了Al/ZnO/Ag肖特基二极管紫外探测器.对该紫外探测器的暗电流和365 nm波长光照下的光电流进行了测试.室温下结果表明:Ag和ZnO已形成肖特基接触

根据I-V、C-V测试得到的有效势垒高度分别为0.60 eV和0.53 eV

理想因子为12.6

理论计算得到的空间电荷密度为3.1×1016cm-3.无光照3V偏压时

暗电流为24.19 mA

当用λ=365 nm的光照射Ag/ZnO肖特基结

在3 V偏压时

光生电流为3.28 mA

表明Al/ZnO/Ag紫外探测器有明显的光响应特性. 更多还原

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