浙江省富通集团有限公司光纤制备技术工程技术研究中心
纸质出版:2014
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[1]孙可元,吴江华,李庆国.基于MCVD设备的RIT/RIC套管工艺探索[J].现代传输,2014(02):54-55.
孙可元, 吴江华, 李庆国. 基于MCVD设备的RIT/RIC套管工艺探索[J]. 2014, (2): 54-55.
[1]孙可元,吴江华,李庆国.基于MCVD设备的RIT/RIC套管工艺探索[J].现代传输,2014(02):54-55. DOI:
孙可元, 吴江华, 李庆国. 基于MCVD设备的RIT/RIC套管工艺探索[J]. 2014, (2): 54-55. DOI:
本文主要针对RIT/RIC套管工艺技术的缺陷
阐述利用MCVD工艺
在MCVD设备上进行芯棒制备
同时通过优化蚀刻套管技术
利用MCVD制备芯棒自身优点
在不移动芯棒的情况下
成功完成套管大棒化制备过程。
SF 6 /O 2 /CHF 3 混合气体对硅材料的反应离子刻蚀研究 [J]. 周宏,赖建军,赵悦,柯才军,张坤,易新建. 半导体技术 . 2005(06)
反应离子刻蚀工艺因素研究 [J]. 张锦,冯伯儒,杜春雷,王永茹,周礼书,侯德胜,林大键. 光电工程 . 1997(S1)
红外材料Ge的刻蚀研究 [J]. 张锦,杜春雷,冯伯儒,王永茹,周礼书,侯德胜,林大键. 微细加工技术 . 1997(01)
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