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UltrahighGaN:SiO2etchselectivitybyinsitusurfacemodificationofSiO2inaCl2-Arplasma
更新时间：2026-08-19

    • UltrahighGaN:SiO2etchselectivitybyinsitusurfacemodificationofSiO2inaCl2-Arplasma

    • UltrahighGaN:SiO2etchselectivitybyinsitusurfacemodificationofSiO2inaCl2-Arplasma

    • 材料研究快报（英文）   2021年9卷第2期

    • 网络首发：2020-11-24，

      纸质出版：2021

    移动端阅览

  • UltrahighGaN:SiO2etchselectivitybyinsitusurfacemodificationofSiO2inaCl2-Arplasma[J]. 材料研究快报（英文）, 2021,9(2). DOI：

    UltrahighGaN:SiO2etchselectivitybyinsitusurfacemodificationofSiO2inaCl2-Arplasma[J]. Materials Research Letters, 2021, 9(2). DOI：

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