哈尔滨理工大学 材料科学与工程学院,哈尔滨,150080
纸质出版:2014
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俞泽民, 魏珊珊, 楚晓晨. Fe-N共掺ZnO电子结构理论的研究[J]. 哈尔滨理工大学学报, 2014,19(4):63-66.
YU Ze-min, WEI Shan-shan, CHU Xiao-chen. Study on the Electronic Structure of Fe-N Element Doped Zn O[J]. 2014, 19(4): 63-66.
俞泽民, 魏珊珊, 楚晓晨. Fe-N共掺ZnO电子结构理论的研究[J]. 哈尔滨理工大学学报, 2014,19(4):63-66. DOI: 10.15938/j.jhust.2014.04.007.
YU Ze-min, WEI Shan-shan, CHU Xiao-chen. Study on the Electronic Structure of Fe-N Element Doped Zn O[J]. 2014, 19(4): 63-66. DOI: 10.15938/j.jhust.2014.04.007.
应用第一性原理
电子密度泛函理论作为研究的理论基础
通过计算来研究Fe-N共掺ZnO晶体的几何结构、电子内部结构和光学性质.由结构图、能带图、光吸收曲线相互分析其几何结构、电子内部结构和光学性质的形成原因.对图形进行分析
结果表明Fe-N共掺ZnO后价带上移
禁带宽度小于纯ZnO
其光吸收曲线发生红移
提高了ZnO对可见光的利用率
这一结果可为进一步研究Fe-N共掺ZnO实验奠定基础. 更多还原
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