哈尔滨理工大学材料科学与工程学院
纸质出版:2014
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范勇, 谭及兰, 谢艳红, 等. 纳米Zr-Ti-Al复合氧化物杂化PI薄膜的耐电晕性[J]. 哈尔滨理工大学学报, 2014,19(4):59-62.
FAN Yong, TAN Ji-lan, XIE Yan-hong, et al. Corona-resistance Property of PI Films Doped with Nano Zr-Ti-Al Composite Oxide[J]. 2014, 19(4): 59-62.
范勇, 谭及兰, 谢艳红, 等. 纳米Zr-Ti-Al复合氧化物杂化PI薄膜的耐电晕性[J]. 哈尔滨理工大学学报, 2014,19(4):59-62. DOI: 10.15938/j.jhust.2014.04.008.
FAN Yong, TAN Ji-lan, XIE Yan-hong, et al. Corona-resistance Property of PI Films Doped with Nano Zr-Ti-Al Composite Oxide[J]. 2014, 19(4): 59-62. DOI: 10.15938/j.jhust.2014.04.008.
采用微乳化-热液法制备了一系列不同比例Zr-Ti改性的纳米氧化铝分散液
用原位聚合法分别制备了无机纳米杂化聚酰亚胺复合薄膜
研究不同的Zr-Ti比例对杂化薄膜的耐电晕性、电导电流及电老化阈值的影响.结果表明:复合薄膜的耐电晕性有明显提高
当Zr:Ti=2:3时
耐电晕寿命达到最大;电老化阈值随Ti含量的增加呈现先增大后减小的趋势.当Zr:Ti=3:2时
电老化阈值达到最大. 更多还原
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