您当前的位置:
首页 >
文章列表页 >
一种高温度性能的CMOS带隙基准源
更新时间:2026-09-04
    • 一种高温度性能的CMOS带隙基准源

    • A Piecewise-Line Compensated CMOS Bandgap Reference

    • 微电子学与计算机   2010年27卷第1期 页码:25-28
    • 纸质出版:2010

    移动端阅览

  • 许小丽, 冯全源. 一种高温度性能的CMOS带隙基准源[J]. 微电子学与计算机, 2010, 27(1): 25-28. DOI:

    XU Xiao-li, FENG Quan-yuan. A Piecewise-Line Compensated CMOS Bandgap Reference[J]. 2010, 27(1): 25-28. DOI:

  •  
  •  
icon
试读结束,您可以激活您的VIP账号继续阅读。
去激活 >
icon
试读结束,您可以通过登录账户,到个人中心,购买VIP会员阅读全文。
已是VIP会员?
去登录 >

0

浏览量

31

下载量

0

CSCD

文章被引用时,请邮件提醒。
提交
工具集
下载
参考文献导出
分享
收藏
添加至我的专辑

相关文章

一种具有高阶补偿结构的低温漂带隙基准
基于45 nm SOI CMOS的56 Gbit/s PAM-4光接收机前端设计
一种CMOS低噪声有源下变频混频器
一种具有工艺补偿的低功耗CMOS参考电流源
一种2.4GHz多模块集成CMOS射频前端芯片

相关作者

王斌
李海松
杨雨欣
林福江
张文嘉
周婉婷
李磊
李珂

相关机构

西安微电子技术研究所, 陕西 西安 710054Xi'an Microelectronics Technology Institute, Xi'an 710054, China
中国科学技术大学 微电子学院
电子科技大学 电子科学技术研究院
成都信息工程大学 机构 通信工程学院
中国科学院 机构 微电子研究所
0