异质栅MOSFET热载流子效应的研究

褚蕾蕾; 高珊; 金林; 陈军宁

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异质栅MOSFET热载流子效应的研究

更新时间：2026-09-04

- 异质栅MOSFET热载流子效应的研究
- A Study on Hot Carrier Effect in Dual-Material-Gate MOSFET
- 微电子学与计算机 2010年27卷第3期页码：185-188
- 作者机构：
  
  安徽大学微电子系,安徽,合肥,230039
- 作者简介：
- 基金信息：
  
  国家自然科学基金项目(60876062)
- DOI：
  中图分类号：
- 纸质出版：2010
- 稿件说明：
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褚蕾蕾, 高珊, 金林, 陈军宁. 异质栅MOSFET热载流子效应的研究[J]. 微电子学与计算机, 2010, 27(3): 185-188.

CHU Lei-lei, GAO Shan, JIN Lin, et al. A Study on Hot Carrier Effect in Dual-Material-Gate MOSFET[J]. 2010, 27(3): 185-188.
褚蕾蕾, 高珊, 金林, 陈军宁. 异质栅MOSFET热载流子效应的研究[J]. 微电子学与计算机, 2010, 27(3): 185-188. DOI：

CHU Lei-lei, GAO Shan, JIN Lin, et al. A Study on Hot Carrier Effect in Dual-Material-Gate MOSFET[J]. 2010, 27(3): 185-188. DOI：

摘要

异质栅MOSFET器件的栅极由具有不同功函数的两种材料拼接而成

能够提高载流子输运速度、抑制阈值电压漂移等.文中比较了异质栅MOSFET和常规MOSFET的热载流子退化特性.通过使用器件数值模拟软件MEDICI

对能有效监测热载流子效应的参数

例如电场、衬底电流和栅电流等参数进行仿真.将仿真结果与常规MOSFET对比

从抑制热载流子效应方面验证了新结构器件的高性能.

Abstract

The gate of a dual-material-gate (DMG) MOSFET consists of two materials contacting laterally with different wok functions.The novel device could increase carrier transport speed through the channel considerably

and suppress threshold voltage roll-off.The hot carrier effect (HCE) of the novel device were studied as compared with the conventional MOSFET for the first time systemically.Using two-dimensional device simulator MEDICI

we simulate some parameter which can surveillance the hot carrier effect efficiently

such as electric field、substrate current and gate current et al.The simulation results have been compared with the conventional MOSFET.It is clear that DMG MOSFET has better performance.

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