您当前的位置:
首页 >
文章列表页 >
数字集成电路物理设计阶段的低功耗技术
更新时间:2026-09-04
    • 数字集成电路物理设计阶段的低功耗技术

    • A Method of Reducing the CMOS Power During the Physical Design Stage of Digital Integrated Circuit

    • 微电子学与计算机   2011年28卷第4期 页码:73-75
    • 纸质出版:2011

    移动端阅览

  • 桑红石, 张志, 袁雅婧, 陈鹏. 数字集成电路物理设计阶段的低功耗技术[J]. 微电子学与计算机, 2011, 28(4): 73-75,80. DOI:

    SANG Hong-shi, ZHANG Zhi, YUAN Ya-jing, et al. A Method of Reducing the CMOS Power During the Physical Design Stage of Digital Integrated Circuit[J]. 2011, 28(4): 73-75. DOI:

  •  
  •  
icon
试读结束,您可以激活您的VIP账号继续阅读。
去激活 >
icon
试读结束,您可以通过登录账户,到个人中心,购买VIP会员阅读全文。
已是VIP会员?
去登录 >

0

浏览量

22

下载量

0

CSCD

文章被引用时,请邮件提醒。
提交
工具集
下载
参考文献导出
分享
收藏
添加至我的专辑

相关文章

中国集成电路产业链现状及发展思考
基于多尺度融合与小目标增强的航拍车辆检测算法
基于区块链的AI生成内容溯源框架设计研究
超低功耗实时时钟电路的设计
注意力机制与改进密集卷积引导的信息隐藏模型

相关作者

杨佳奇
李学武
王润芳

相关机构

北京微电子技术研究所 机构 , 北京 100076Beijing Institute of Microelectronics Technology, Beijing 100076, China
北京邮电大学, 北京 100876Beijing University of Posts and Telecommunications, Beijing 100876, China
0