高压BCDMOS集成电路的工艺集成

马旭; 邵志标; 姚剑锋; 张国光

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高压BCDMOS集成电路的工艺集成

更新时间：2026-09-04

- 高压BCDMOS集成电路的工艺集成
- The Process Integration of High-Voltage BCDMOS IC
- 微电子学与计算机 2011年28卷第11期页码：72-75
- 作者机构：
  
  1. 西安交通大学电信学院,陕西,西安,710049
  2. 佛山蓝箭电子有限公司,广东,佛山,528000
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号：
- 纸质出版：2011
- 稿件说明：
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马旭, 邵志标, 姚剑锋, 张国光. 高压BCDMOS集成电路的工艺集成[J]. 微电子学与计算机, 2011, 28(11): 72-75.

MA Xu, SHAO Zhi-biao, YAO Jian-feng, et al. The Process Integration of High-Voltage BCDMOS IC[J]. 2011, 28(11): 72-75.
马旭, 邵志标, 姚剑锋, 张国光. 高压BCDMOS集成电路的工艺集成[J]. 微电子学与计算机, 2011, 28(11): 72-75. DOI：

MA Xu, SHAO Zhi-biao, YAO Jian-feng, et al. The Process Integration of High-Voltage BCDMOS IC[J]. 2011, 28(11): 72-75. DOI：

摘要

对高压BCD-MOS器件的结构和工艺进行了研究

用器件模拟MEDICI和工艺模拟T-SUPREM软件分别对器件结构和工艺参数进行了设计优化.在工艺兼容的前提下

设计制作了包含NPN、PNP、NMOS、PMOS、高压LDMOS等结构的BCDMOS集成电路样管.测试结果表明

样管性能与模拟结果相符.

Abstract

The structure and process of high voltage BCDMOS are studied and optimized in this paper.The BCDMOS IC includes NPN

PNP

NMOS

PMOS and high voltage LDMOS structure.The emphasis of the process is to implement these devices on one chip and optimize the structures and process of these devices.The process simulation software T-SUPREM and device simulation software MEDICI are used to optimize the devices structure and process parameters.The BCDMOS ICs which accord with the design request are taped out and the BCDMOS process are developed finally.

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