非带隙低功耗低温漂CMOS电压基准电路设计

田京辉; 黄其煜

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非带隙低功耗低温漂CMOS电压基准电路设计

更新时间：2026-09-04

- 非带隙低功耗低温漂CMOS电压基准电路设计
- Design forLow Power Low Temperature Coefficient CMOS Voltage Reference Circuit
- 微电子学与计算机 2013年30卷第5期页码：35-37
- 作者机构：
  
  1. 1 上海交通大学微电子学院,上海,200030
  2. 2 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,上海,201203
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号：
- 纸质出版：2013
- 稿件说明：
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田京辉, 黄其煜. 非带隙低功耗低温漂CMOS电压基准电路设计[J]. 微电子学与计算机, 2013, 30(5): 35-37,42.

TIAN Jing-hui, HUANG Qi-yu. Design forLow Power Low Temperature Coefficient CMOS Voltage Reference Circuit[J]. 2013, 30(5): 35-37.
田京辉, 黄其煜. 非带隙低功耗低温漂CMOS电压基准电路设计[J]. 微电子学与计算机, 2013, 30(5): 35-37,42. DOI：

TIAN Jing-hui, HUANG Qi-yu. Design forLow Power Low Temperature Coefficient CMOS Voltage Reference Circuit[J]. 2013, 30(5): 35-37. DOI：

摘要

通过V与V(热电压)相互补偿原理

提出一种新型非带隙CMOS电压基准源

其输出基准电压具有极低温度系数.采用0.34m_Foundry18工艺模型和Candance Spectre EDA工具对电路进行模拟验证

获得以下结果:输出电压为552.845mV(T=27℃

V=3.3V)

温度系数为1.98ppm/℃(-30℃~+130℃)

功耗为21.85w.电源电压从2.5V变到4.5V

输出电压的变化为0.15%(相对于V=3.3V时的输出).该电压基准源可望应用于高精度、低功耗IC系统的设计研发.

Abstract

This paper presents a pure CMOS voltage circuit with compensation of V (thermal voltage) and V (threshold voltage). Candance Spectre simulation with 0.34m_Foundry18 process reports TC (temperature coefficient) is 1.98ppm/℃(-30℃

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