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一种优化低电压SRAM灵敏放大器时序的4T双复制位线延迟技术
更新时间:2026-09-04
    • 一种优化低电压SRAM灵敏放大器时序的4T双复制位线延迟技术

    • A 4T Dual Replica-Bitline Delay Technique Forprocess- Variation-Tolerant Low Voltage SRAM Sense Amplifier Timing

    • 微电子学与计算机   2015年32卷第3期 页码:28-30
    • 纸质出版:2015

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  • 叶亚东, 吴秀龙, 蔺智挺. 一种优化低电压SRAM灵敏放大器时序的4T双复制位线延迟技术[J]. 微电子学与计算机, 2015, 32(3): 28-30,35. DOI:

    YE Ya-dong, WU Xiu-long, LIN Zhi-ting. A 4T Dual Replica-Bitline Delay Technique Forprocess- Variation-Tolerant Low Voltage SRAM Sense Amplifier Timing[J]. 2015, 32(3): 28-30. DOI:

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