一种高电源抑制低温漂带隙基准电路设计

于全东; 杨琦; 张国俊

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一种高电源抑制低温漂带隙基准电路设计

更新时间：2026-09-04

- 一种高电源抑制低温漂带隙基准电路设计
- Design of High Power Supply Rejection and Low Temperature Drift Voltage Bandgap Reference
- 微电子学与计算机 2016年33卷第4期页码：148-151
- 作者机构：
  
  电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室机构,四川,成都,610054
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号：
- 纸质出版：2016
- 稿件说明：
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于全东, 杨琦, 张国俊. 一种高电源抑制低温漂带隙基准电路设计[J]. 微电子学与计算机, 2016, 33(4): 148-151, 156.

YU Quan-dong, YANG Qi, ZHANG Guo-jun. Design of High Power Supply Rejection and Low Temperature Drift Voltage Bandgap Reference[J]. 2016, 33(4): 148-151.
于全东, 杨琦, 张国俊. 一种高电源抑制低温漂带隙基准电路设计[J]. 微电子学与计算机, 2016, 33(4): 148-151, 156. DOI：

YU Quan-dong, YANG Qi, ZHANG Guo-jun. Design of High Power Supply Rejection and Low Temperature Drift Voltage Bandgap Reference[J]. 2016, 33(4): 148-151. DOI：

摘要

基于CSMC 0.5 m BCD工艺

设计了一种应用于片上系统(SOC)芯片的低温漂高电源抑制的带隙基准电路.采用一种带有负反馈环路调整型的电压预调整电路

并且将基准电压形成于负反馈环路

基准电路的电源抑制特性得到显著提高.仿真得到的电源抑制比分别为-177.6dB@dc

-82.7dB@1MHz.此电路可以在-55~125℃范围内实现较小的温度系数

温度系数为5.76×10/℃.

Abstract

Based on a CSMC 0.5 m BCD process

a high power supply rejection and low temperature drift bandgap voltage reference is proposed for the application of system-on-chip. By introducing a pseudo-power supply and generating a voltage reference in a negative feedback loop

the power supply rejection of the reference is improved. This voltage reference provides a PSR of -177.6 dB at dc and -82.7 dB at 1MHz. Additionally

the temperature coefficient of this circuit achieves 5.76×10/℃ covering a range of -55~125℃.

关键词

Keywords

references

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