硅通孔电阻开路故障模型研究

尚玉玲; 豆鑫鑫; 李春泉

Chinese

您当前的位置：

首页 >

文章列表页 >

硅通孔电阻开路故障模型研究

更新时间：2026-09-04

- 硅通孔电阻开路故障模型研究
- Analysis of Through Silicon Via Resistance-Open Fault Model
- 微电子学与计算机 2017年34卷第5期页码：49-53
- 作者机构：
  
  1. 桂林电子科技大学电子工程与自动化学院,广西,桂林,541004
  2. 桂林电子科技大学机构机电工程学院,广西,桂林,541004
- 作者简介：
- 基金信息：
  
  国家自然科学基金 51465013桂林电子科技大学研究生创新项目 2016YJCX28广西自动检测技术与仪器重点实验室主任基金 YQ15109广西研究生教育创新计划资助项目 YCSZ2014142
- DOI：
  中图分类号：
- 纸质出版：2017
- 稿件说明：
移动端阅览
尚玉玲, 豆鑫鑫, 李春泉. 硅通孔电阻开路故障模型研究[J]. 微电子学与计算机, 2017, 34(5): 49-53.

SHANG Yu-ling, DOU Xin-xin, LI Chun-quan. Analysis of Through Silicon Via Resistance-Open Fault Model[J]. 2017, 34(5): 49-53.
尚玉玲, 豆鑫鑫, 李春泉. 硅通孔电阻开路故障模型研究[J]. 微电子学与计算机, 2017, 34(5): 49-53. DOI：

SHANG Yu-ling, DOU Xin-xin, LI Chun-quan. Analysis of Through Silicon Via Resistance-Open Fault Model[J]. 2017, 34(5): 49-53. DOI：

摘要

硅通孔(Through Silicon Via)技术是三维集成电路发展的关键技术

因此对于TSV的缺陷故障检测具有十分重要的意义.讨论了TSV的物理模型和延时模型

同时在先进设计系统(ADS)中建立了TSV的电阻开路故障的等效电路模型

提取了RLC参数.然后通过给等效电路模型施加信号源

将开路故障的输出延时与无故障时的输出进行对比

对不同程度故障的TSV的传输延时进行分析

并用最小二乘法拟合出利用延时来判断故障的大小的曲线.

Abstract

Through Silicon Via technology is a key technology for the development of three-dimensional integrated circuits

so it is very important to detect the defects in TSVs. In this paper

we discussed the physical model and delay model of the TSV

a resistance-open fault equivalent circuit model is also established in the Advanced simulation system(ADS) and extracted RLC parameters of the TSV. Then through applying signal source to the equivalent circuit model

we compare the output of the fault TSV with fault-free TSV and analyze the propagation delay of different degree of the fault TSV. We draw a curve judging the size of the crack with the method of the least squares.

关键词

Keywords

references

You J W, Huang S Y. In-Situ method for TSV delay testing and characterization using input sensitivity analysis[J]. IEEE Transcations on Very Large Scale Integration (VLSI) Systems, 2013, 3(21): 445-446. DOI: 445

Guruprasad Katti, Michele Stucchi, Kristin De Meyer, et al. Electrical modeling and characterization of through silicon via for three-dimensional ICs[J]. IEEE Transcations Electron Devices, 2010, 1(57): 2-7. DOI: 2

王凤娟. 基于硅通孔(TSV)的三维集成电路(3D IC)关键特性分析[D]. 西安: 西安电子科技大学, 2014: 20-26.

Huang Shi Yu, Lin Yu Hsiang, Tsai Kun Han (Hans), et al. Small delay testing for TSVs in 3-D ICs[C]//Processing of Design Automation Conference (DAC). San Francisco, 2012: 1031-1034.

Kandalaft N, Rashidzadeh R, Ahmadi M. Testing 3D IC through-silicon-vias (TSVs) by direct probing[J]. IEEE Transcations Computer-Aided Design of Integrated Circuits and Systems, 2013, 4(32): 538-544. DOI: 538

蒋礼, 伍晓霞, 潘毅, 等, 基于裂纹扩展的无铅焊点阻抗等效模型[J]. 电子元件与材料, 2011, 30(12): 54-57. DOI: 54

浏览量

下载量

CSCD

文章被引用时，请邮件提醒。

提交

工具集

关联资源

一种用于极低压boost系统的高效率电荷泵

低功耗设计的双链电源关断策略的实现与验证

基于反向体偏置的高增益稳定性高温运放设计

基于监控指标关联性的微服务异常检测

一种基于特征上下文理解与切片分析的肺结核检测算法