一种单粒子效应加固RS触发器电路设计

王佳; 李萍; 郑然; 魏晓敏; 胡永才

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一种单粒子效应加固RS触发器电路设计

更新时间：2026-09-04

- 一种单粒子效应加固RS触发器电路设计
- Design of a Single Event Effects Hardened RS Flip-Flops
- 微电子学与计算机 2018年35卷第9期页码：55-58
- 作者机构：
  
  1. 西北工业大学计算机学院,陕西,西安,710072
  2. 斯特拉斯堡大学, 法国斯特拉斯堡,67037
- 作者简介：
- 基金信息：
  
  国家自然科学基金项目 61504108国家自然科学基金项目 61504109中央高校基本科研业务费专项资金 3102017zy028陕西省自然科学基金项目 2017JM6084
- DOI：
  中图分类号：
- 纸质出版：2018
- 稿件说明：
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王佳, 李萍, 郑然, 魏晓敏, 胡永才. 一种单粒子效应加固RS触发器电路设计[J]. 微电子学与计算机, 2018, 35(9): 55-58, 63.

WANG Jia, LI Ping, ZHENG Ran, et al. Design of a Single Event Effects Hardened RS Flip-Flops[J]. 2018, 35(9): 55-58.
王佳, 李萍, 郑然, 魏晓敏, 胡永才. 一种单粒子效应加固RS触发器电路设计[J]. 微电子学与计算机, 2018, 35(9): 55-58, 63. DOI：

WANG Jia, LI Ping, ZHENG Ran, et al. Design of a Single Event Effects Hardened RS Flip-Flops[J]. 2018, 35(9): 55-58. DOI：

摘要

提出了一种结构新颖的RS触发器电路结构.基于双互锁存储单元结构

实现了单粒子翻转加固.为进一步消除单粒子瞬态的影响

提出的电路采用了一个保护门电路和一个施密特触发器.该电路基于一种0.25m商用标准CMOS工艺进行了电路设计和版图物理实现.Spectre仿真结果表明提出的RS触发器对一个单粒子事件完全免疫

输出电压波形不受单粒子翻转和单子瞬态脉冲的影响.与三模冗余结构相比

在同等可靠性的情况下

该触发器面积减小27.8%

功耗降低43.1%.

Abstract

A novel RS flip-flop is proposed in order to degrade the influence of single event upset and single event transient. The proposed circuit can resist single event upset with the help of dual interlocked cell. Moreover

a guard gate and a Schmitt trigger are employed to be immune to single event transient. The proposed circuit is implemented in a 0.25 m commercial standard CMOS process. The Spectre simulation results demonstrate that the proposed circuit is immune to the single event upset and single event transient as only one single event happens. Compared with the triple modular redundancy providing same reliability

the die area and power dissipation of the proposed circuit are decreased by 27.8% and 43.1%

respectively.

关键词

Keywords

references

Bajura M A, Boulghassoul Y, Naseer R, et al. Models and algorithmic limits for an ECC-based approach to hardening Sub-100-nm SRAMs[J]. IEEE Transactions On Nuclear Science, 2007, 54(4): 935-945. DOI: 935

Zhang X, Chen L, Wang L, et al. The design and verification of SEU-hardened configurable DFF[C]// IEEE International Conference on Asic.[s.l.]. 2012: 937-940.

NetoE H, Ribeiro I, Vieira M, et al. Using bulk built-in current sensors to detect soft errors[J]. IEEE Micro, 2006, 26(5): 10-18. DOI: 10

Shambhulingaiah S, Chellappa S, Kumar S, et al. Methodology to optimize critical node separation in hardened flip-flops[C]//International Symposium on Quality Electronic Design.[s.l.]. 2014: 486-493.

Zhang Z, Ren R, Chen L, et al. A bulk built-in voltage sensor to detect physical location of single-event transients[J]. Journal of Electronic Testing, 2013, 29(2): 249-253. DOI: 249

Ferlet-Cavrois V, Massengill L W, Gouker P. Single event transients in digital CMOS-a review[J]. IEEE Transactions on Nuclear Science, 2013, 60(3): 1767-1790. DOI: 1767

Calin T, Nicolaidis M, Velazco R. Upset hardened memory design for submicron CMOS technology[J]. Nuclear Science, IEEE Transactions on, 1996, 43(6): 2874-2878. DOI: 2874

王少熙, 王康, 樊晓桠, 等.基于商用工艺的抗辐射触发器单元设计[J].核电子学与探测技术, 2013, 33(1): 79-84. DOI: 79

Balasubramanian A, Bhuva B L, Black J D, et al. RHBD techniques for mitigating effects of single-event hits using guard-gates[J]. IEEE Transactions on Nuclear Science, 2006, 52(6): 2531-2535. DOI: 2531

苏霖, 王佳, 高武, 等.一种新颖的抗辐射加固SR锁存器设计[J].微电子学与计算机, 2017, 34(9): 136-140. DOI: 136

黄正峰, 彭小飞, 鲁迎春.基于C单元反馈回路的容SEU锁存器设计[J].微电子学, 2015, 45(2): 178-183. DOI: 178

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